Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-117

Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-117

• Polarità:
  NPN
• Potenza di uscita:
  600 mW
• Potenza dissipata (Ptot):
  2.25 W
• Corrente al collettore (Ic max):
  200 mA
• Tensione collettore-emettitore (Vce max) :
  30 V
• Tensione di alimentazione:
  15 V
• Montaggio o contentitore:
  a vite
• Bande di frequenza:
  UHF
  VHF