Quaterna ad anello di diodi Schottky

• Tensione diretta (V_F tip., I_F = 1 mA) :
  250 mV
• Capacità (C_J):
  0.5 pF
• Contenitore:
  Outline E4
• Montaggio:
  SMD
• Configurazione:
  quaterna ad anello
• Temp. di giunzione (T_j) (°C):
  125
• Low Barrier / Zero Bias:
  No

Quaterna ad anello di diodi Schottky

Per applicazioni fino a 6 GHz, low barrier