2SC3356-T1B (R25) - Transistor de RF NPN bipolar de silicio, SOT-23

2SC3356 NEC 2SC3356-T1B (R25) Transistores - BJT
N- Datasheet
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Muy buena etapa amplificadora, bajo ruido hasta 1 GHz y para uso general hasta 3 GHz, buena dinámica con IC 20/30 mA, equivalente a NE85633

Especificaciones

  • NPN
  • 12 V
  • 7 GHz
  • 100 mA
  • 200 mW
  • surface
  • SOT-23
  • plastic
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Cumplimiento

  • JP
  • 85412900
  • 0.05 g
  • No
  • No disponible