2SC3356-T1B (R25) - Silizium-Bipolar-NPN-HF-Transistor, SOT-23

2SC3356 NEC 2SC3356-T1B (R25) Transistoren - BJT
N- Datasheet
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Sehr gute Verstärkerstufe, geringes Rauschen bis 1 GHz und für allgemeine Zwecke bis 3 GHz, gute Dynamik mit I C 20/30 mA, NE85633-Äquivalent

Spezifikationen

  • NPN
  • 12 V
  • 7 GHz
  • 100 mA
  • 200 mW
  • surface
  • SOT-23
  • plastic
PDF · 108.2 kB
Ansehen

Konformität

  • JP
  • 85412900
  • 0.05 g
  • Nein
  • Nicht verfügbar