Transistores - BJT

Código de pedido: 2N1613

STMicroelectronics 2N1613

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-39

Código de pedido:	2N1613
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-39 STMicroelectronics 2N1613
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	50 V
Frecuencia de transición (fT):	80 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	500 mA
Potencia disipada (Ptot):	800 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-39
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 284 uds.

Código de pedido: 2N2484

National Semiconductor 2N2484

Transistor de RF NPN bipolar, TO-18

Código de pedido:	2N2484
	Transistor de RF NPN bipolar, TO-18 National Semiconductor 2N2484
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	60 V
Frecuencia de transición (fT):	60 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	50 mA
Potencia disipada (Ptot):	360 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-18
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 23 uds.

Código de pedido: 2N2905A

Motorola 2N2905A

Transistor de RF PNP bipolar de silicio, TO-39

Código de pedido:	2N2905A
	Transistor de RF PNP bipolar de silicio, TO-39 Motorola 2N2905A
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-60 V
Frecuencia de transición (fT):	200 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	-600 mA
Potencia disipada (Ptot):	600 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-39
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 81 uds.

Código de pedido: 2N2907A

Fairchild Semiconductor 2N2907A

Transistor de RF PNP bipolar, TO-18

Código de pedido:	2N2907A
	Transistor de RF PNP bipolar, TO-18 Fairchild Semiconductor 2N2907A
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-60 V
Frecuencia de transición (fT):	200 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	-600 mA
Potencia disipada (Ptot):	1.8 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-18
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 628 uds.

Código de pedido: 2N3251

Motorola 2N3251

Transistor de RF NPN bipolar, TO-18

Código de pedido:	2N3251
	Transistor de RF NPN bipolar, TO-18 Motorola 2N3251
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	40 V
Frecuencia de transición (fT):	300 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	200 mA
Potencia disipada (Ptot):	360 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-18
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 2000 uds.

Código de pedido: 2N3505

SGS 2N3505

Transistor de RF PNP bipolar, TO-18

Código de pedido:	2N3505
	Transistor de RF PNP bipolar, TO-18 SGS 2N3505
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-60 V
Frecuencia de transición (fT):	200 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	-600 mA
Potencia disipada (Ptot):	1.3 W
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-18
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 284 uds.

Código de pedido: 2N3707

Texas Instruments 2N3707

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-92

Código de pedido:	2N3707
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-92 Texas Instruments 2N3707
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	30 V
Frecuencia de transición (fT):	100 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	30 mA
Potencia disipada (Ptot):	625 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-92
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 6800 uds.

Código de pedido: 2N3866

Motorola 2N3866

Transistor RF NPN, 1 W, 400 MHz, TO-39

Código de pedido:	2N3866
	Transistor RF NPN, 1 W, 400 MHz, TO-39 Motorola 2N3866
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	30 V
Frecuencia de transición (fT):	500 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	400 mA
Potencia disipada (Ptot):	5 W
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-39
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 111 uds.

Código de pedido: 2N3904

Fairchild Semiconductor 2N3904

Transistor de RF NPN bipolar, TO-92

Código de pedido:	2N3904
	Transistor de RF NPN bipolar, TO-92 Fairchild Semiconductor 2N3904
Condiciones:	N (El producto es completamente nuevo)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	40 V
Frecuencia de transición (fT):	300 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	200 mA
Potencia disipada (Ptot):	625 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-92
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 2985 uds.

Código de pedido: 2N5109

Central Semiconductor Corp. 2N5109

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-39

Código de pedido:	2N5109
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-39 Central Semiconductor Corp. 2N5109
Condiciones:	N (El producto es completamente nuevo)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	20 V
Frecuencia de transición (fT):	1.2 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	400 mA
Potencia disipada (Ptot):	1 W
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-39
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 11 uds.

Código de pedido: 2N5179

SGS 2N5179

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72

Código de pedido:	2N5179
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72 SGS 2N5179
Condiciones:	N (El producto es completamente nuevo)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	12 V
Frecuencia de transición (fT):	1.4 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	50 mA
Potencia disipada (Ptot):	300 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-72
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 1712 uds.

Código de pedido: 2N5415

STMicroelectronics 2N5415

Transistor de RF PNP bipolar de silicio, TO-39

Código de pedido:	2N5415
	Transistor de RF PNP bipolar de silicio, TO-39 STMicroelectronics 2N5415
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-200 V
Frecuencia de transición (fT):	15 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	-1 A
Potencia disipada (Ptot):	10 W
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-39
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 195 uds.

Código de pedido: 2N914-JANTX

Motorola 2N914-JANTX

Mil-Spec JAN Transistor de RF NPN bipolar, TO-18

Código de pedido:	2N914-JANTX
	Mil-Spec JAN Transistor de RF NPN bipolar, TO-18 Motorola 2N914-JANTX
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Frecuencia de transición (fT):	300 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	150 mA
Potencia disipada (Ptot):	360 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-18
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 85 uds.

Código de pedido: 2N918

STMicroelectronics 2N918

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72

Código de pedido:	2N918
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72 STMicroelectronics 2N918
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	15 V
Frecuencia de transición (fT):	900 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	50 mA
Potencia disipada (Ptot):	300 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-72
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 889 uds.

Código de pedido: 2SC1070

NEC 2SC1070

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, SOT-103

Código de pedido:	2SC1070
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, SOT-103 NEC 2SC1070
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	25 V
Frecuencia de transición (fT):	900 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	20 mA
Potencia disipada (Ptot):	200 mW
Montaje:	surface
Encapsulado:	SOT-103
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 22 uds.

Código de pedido: 2SC2347

TOSHIBA 2SC2347

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-92

Código de pedido:	2SC2347
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-92 TOSHIBA 2SC2347
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	15 V
Frecuencia de transición (fT):	650 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	50 mA
Potencia disipada (Ptot):	250 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-92
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 223 uds.

Código de pedido: 2SC2538

MITSUBISHI 2SC2538

Transistor de RF NPN bipolar, TO-92

Código de pedido:	2SC2538
	Transistor de RF NPN bipolar, TO-92 MITSUBISHI 2SC2538
Condiciones:	N (El producto es completamente nuevo)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	17 V
Corriente del colector (Ic máx):	400 mA
Potencia disipada (Ptot):	3 W
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-92
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 12 uds.

Código de pedido: 2SC3356

NEC 2SC3356-T1B (R25)

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, SOT-23

Código de pedido:	2SC3356
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, SOT-23 NEC 2SC3356-T1B (R25)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	12 V
Frecuencia de transición (fT):	7 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	100 mA
Potencia disipada (Ptot):	200 mW
Montaje:	surface
Encapsulado:	SOT-23
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 1838 uds.

Código de pedido: 2SC787

TOSHIBA 2SC787

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72

Código de pedido:	2SC787
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72 TOSHIBA 2SC787
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	20 V
Frecuencia de transición (fT):	1 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	20 mA
Potencia disipada (Ptot):	150 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-72
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 1000 uds.

Código de pedido: AF106

Telefunken AF106

Transistor de RF PNP bipolar de germanio, TO-72

Código de pedido:	AF106
	Transistor de RF PNP bipolar de germanio, TO-72 Telefunken AF106
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-18 V
Frecuencia de transición (fT):	220 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	-10 mA
Potencia disipada (Ptot):	60 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-72
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 134 uds.

Código de pedido: AF239

SGS-ATES AF239

Transistor de RF PNP bipolar de germanio, TO-72

Código de pedido:	AF239
	Transistor de RF PNP bipolar de germanio, TO-72 SGS-ATES AF239
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-15 V
Frecuencia de transición (fT):	700 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	-10 mA
Potencia disipada (Ptot):	60 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-72
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 1383 uds.

Código de pedido: AF379

AF379

Transistor de RF PNP bipolar de germanio, SOT-37

Código de pedido:	AF379
	Transistor de RF PNP bipolar de germanio, SOT-37 AF379
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-13 V
Frecuencia de transición (fT):	1.25 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	-20 mA
Potencia disipada (Ptot):	100 mW
Montaje:	surface
Encapsulado:	SOT-37
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 600 uds.

Código de pedido: ASY29

Philips ASY29

Transistor de RF NPN bipolar de germanio, TO-5

Código de pedido:	ASY29
	Transistor de RF NPN bipolar de germanio, TO-5 Philips ASY29
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	15 V
Frecuencia de transición (fT):	20 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	200 mA
Potencia disipada (Ptot):	150 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-5
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 202 uds.

Código de pedido: BC253B

ITT Semiconductors BC253B

Transistor de RF PNP bipolar de silicio, TO-92

Código de pedido:	BC253B
	Transistor de RF PNP bipolar de silicio, TO-92 ITT Semiconductors BC253B
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-25 V
Frecuencia de transición (fT):	150 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	-100 mA
Potencia disipada (Ptot):	300 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-92
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 1200 uds.

Código de pedido: BF155

SGS-Thomson BF155

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72

Código de pedido:	BF155
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72 SGS-Thomson BF155
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	40 V
Frecuencia de transición (fT):	800 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	20 mA
Potencia disipada (Ptot):	200 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-72
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 6671 uds.

Código de pedido: BF173

SGS BF173

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72

Código de pedido:	BF173
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72 SGS BF173
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	25 V
Frecuencia de transición (fT):	1 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	25 mA
Potencia disipada (Ptot):	175 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-72
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 1157 uds.

Código de pedido: BF185

Telefunken BF185

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72

Código de pedido:	BF185
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72 Telefunken BF185
Condiciones:	N (El producto es completamente nuevo)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	20 V
Frecuencia de transición (fT):	200 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	30 mA
Potencia disipada (Ptot):	145 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-72
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 8 uds.

Código de pedido: BF199F

Fairchild Semiconductor BF199

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-92

Código de pedido:	BF199F
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-92 Fairchild Semiconductor BF199
Condiciones:	N (El producto es completamente nuevo)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	25 V
Frecuencia de transición (fT):	1100 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	50 mA
Potencia disipada (Ptot):	350 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-92
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 516 uds.

Código de pedido: BF255

Thomson-CSF BF255

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-92

Código de pedido:	BF255
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-92 Thomson-CSF BF255
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	30 V
Frecuencia de transición (fT):	250 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	300 mA
Potencia disipada (Ptot):	30 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-92
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 1769 uds.

Código de pedido: BF259

STMicroelectronics BF259

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-39

Código de pedido:	BF259
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-39 STMicroelectronics BF259
Condiciones:	N (El producto es completamente nuevo)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	300 V
Frecuencia de transición (fT):	90 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	100 mA
Potencia disipada (Ptot):	5 W
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-39
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 99 uds.

Código de pedido: BF422

Motorola BF422

Transistor NPN bipolar de silicio, TO-92

Código de pedido:	BF422
	Transistor NPN bipolar de silicio, TO-92 Motorola BF422
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	250 V
Frecuencia de transición (fT):	60 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	50 mA
Potencia disipada (Ptot):	830 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-92
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 1000 uds.

Código de pedido: BF497

SGS-Thomson BF497

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-106

Código de pedido:	BF497
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-106 SGS-Thomson BF497
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	25 V
Frecuencia de transición (fT):	1 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	50 mA
Potencia disipada (Ptot):	200 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-106
Tipo de encapsulado:	metallic

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Stock: 1953 uds.

Código de pedido: BF509

SGS BF509

Transistor de RF PNP bipolar de silicio, TO-92

Código de pedido:	BF509
	Transistor de RF PNP bipolar de silicio, TO-92 SGS BF509
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-35 V
Frecuencia de transición (fT):	700 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	-30 mA
Potencia disipada (Ptot):	250 mW
Montaje:	thru-hole
Encapsulado:	TO-92
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 7327 uds.

Código de pedido: BF679

Telefunken BF679

Transistor de RF PNP bipolar de silicio, SOT-37 (TO-50)

Código de pedido:	BF679
	Transistor de RF PNP bipolar de silicio, SOT-37 (TO-50) Telefunken BF679
Condiciones:	N (El producto es completamente nuevo)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-35 V
Frecuencia de transición (fT):	880 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	-30 mA
Potencia disipada (Ptot):	160 mW
Montaje:	surface
Encapsulado:	SOT-37
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 32 uds.

Código de pedido: BF721

ON Semiconductor BF721T1G

Transistor PNP bipolar de alto voltaje, SOT-223

Código de pedido:	BF721
	Transistor PNP bipolar de alto voltaje, SOT-223 ON Semiconductor BF721T1G
Condiciones:	N (El producto es completamente nuevo)
Polaridad:	PNP
Tensión colector-emisor (Vce máx):	-300 V
Frecuencia de transición (fT):	60 MHz
Corriente del colector (Ic máx):	-100 mA
Potencia disipada (Ptot):	1.2 W
Montaje:	surface
Encapsulado:	SOT-223
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 220 uds.

Código de pedido: BFG10X

Philips BFG10/X

Transistor de RF NPN bipolar, SOT-143

Código de pedido:	BFG10X
	Transistor de RF NPN bipolar, SOT-143 Philips BFG10/X
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	8 V
Frecuencia de transición (fT):	9 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	250 mA
Potencia disipada (Ptot):	400 mW
Montaje:	surface
Encapsulado:	SOT-143
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 8500 uds.

Código de pedido: BFG193

Siemens BFG193

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, SOT-223

Código de pedido:	BFG193
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, SOT-223 Siemens BFG193
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	12 V
Frecuencia de transición (fT):	8 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	80 mA
Potencia disipada (Ptot):	600 mW
Montaje:	surface
Encapsulado:	SOT-223
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 955 uds.

Código de pedido: BFG195

Philips BFG195

Transistor de RF NPN bipolar, SOT-103

Código de pedido:	BFG195
	Transistor de RF NPN bipolar, SOT-103 Philips BFG195
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	10 V
Frecuencia de transición (fT):	7.5 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	100 mA
Potencia disipada (Ptot):	700 mW
Montaje:	surface
Encapsulado:	SOT-103
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 143 uds.

Código de pedido: BFG196

Infineon BFG196

Transistor de RF NPN bipolar, SOT-223

Código de pedido:	BFG196
	Transistor de RF NPN bipolar, SOT-223 Infineon BFG196
Condiciones:	N (El producto es completamente nuevo)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	12 V
Frecuencia de transición (fT):	7.5 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	100 mA
Potencia disipada (Ptot):	800 mW
Montaje:	surface
Encapsulado:	SOT-223
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 0 uds.

Código de pedido: BFG520

Philips BFG520

Transistor de RF NPN bipolar de silicio, SOT-143

Código de pedido:	BFG520
	Transistor de RF NPN bipolar de silicio, SOT-143 Philips BFG520
Condiciones:	N- (El producto es nuevo pero proviene de una producción antigua)
Polaridad:	NPN
Tensión colector-emisor (Vce máx):	15 V
Frecuencia de transición (fT):	9 GHz
Corriente del colector (Ic máx):	70 mA
Potencia disipada (Ptot):	300 mW
Montaje:	surface
Encapsulado:	SOT-143
Tipo de encapsulado:	plastic

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Stock: 4483 uds.