FET di potenza internally matched

FET di potenza internally matched

• Tipologia:
  FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  10 V
• Tensione gate-source (V_gs) :
  -5 V
• Corrente di drain (I_d):
  850 mA
• Guadagno:
  7.5 dB
• Potenza di uscita:
  33 dBm
• Potenza dissipata:
  16 W
• Frequenza min.:
  14.4 GHz
• Frequenza max. :
  15.35 GHz
• Internally matched:
  Si
• Contenitore:
  metal-ceramic
• Montaggio :
  flangia