Fujitsu

GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FSX52WF
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FSX52WF
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	12 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	150 mA
Guadagno:	10 dB
Potenza di uscita:	23 dBm
Potenza dissipata:	1.5 W
Frequenza max. :	15 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FSX51WF
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FSX51WF
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	12 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno:	9.5 dB
Potenza di uscita:	19 dBm
Potenza dissipata:	1 W
Frequenza max. :	15 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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Circuito integrato divisore per 8, contenitore ceramico ermetico

Codice d'ordine:	FMM110HG
	Circuito integrato divisore per 8, contenitore ceramico ermetico Fujitsu FMM110HG
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia :	divider
Frequenza min.:	2 GHz
Frequenza max. :	10 GHz
Fattore di divisione/moltiplicazione:	8
Tensione di alimentazione (min.):	-5.5 V
Tensione di alimentazione (max.):	-4.5 V
Temperatura di esercizio:	-40 / +85 °C
Contenitore:	flat pack 14-pin
Montaggio :	SMD

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Circuito integrato divisore per 8, contenitore ceramico ermetico

Codice d'ordine:	FMM106HG
	Circuito integrato divisore per 8, contenitore ceramico ermetico Fujitsu FMM106HG
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia :	divider
Frequenza min.:	2 GHz
Frequenza max. :	6.5 GHz
Fattore di divisione/moltiplicazione:	8
Tensione di alimentazione (min.):	-5.5 V
Tensione di alimentazione (max.):	-4.5 V
Temperatura di esercizio:	-55 / +85 °C
Contenitore:	flat pack 14-pin
Montaggio :	SMD

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Circuito integrato CMOS sintetizzatore PLL, fino a 1.1 GHz, SMD FPT-16P-M06

Codice d'ordine:	MB1501PF
	Circuito integrato CMOS sintetizzatore PLL, fino a 1.1 GHz, SMD FPT-16P-M06 Fujitsu MB1501PF
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Funzione :	PLL Synthesizer
Tensione di alimentazione (min. o fissa) :	2.7 V
Tensione di alimentazione (max.):	5.5 V
Contenitore:	FPT-16P-M06
Montaggio:	SMD

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Circuito integrato CMOS sintetizzatore PLL, fino a 2 GHz, SMD FPT-16P-M06

Codice d'ordine:	MB1507PF
	Circuito integrato CMOS sintetizzatore PLL, fino a 2 GHz, SMD FPT-16P-M06 Fujitsu MB1507PF
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Funzione :	PLL Synthesizer
Tensione di alimentazione (min. o fissa) :	5 V
Contenitore:	FPT-16P-M06
Montaggio:	SMD

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Relè elettromeccanico, DPDT, 5V

Codice d'ordine:	SW-AS-5W
	Relè elettromeccanico, DPDT, 5V Fujitsu AS-5W-K-B05
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Applicazione:	basso segnale
Configurazione:	da stampato
Tipo di contatto:	DPDT
Corrente contatto max.:	2 A
Tensione bobina :	5 V
Resistenza bobina:	178 Ohm
Potenza max. di transito:	30 W
Frequenza max.:	200 MHz
Tipo di connettore:	pin
Relè passo-passo:	No

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Circuito integrato CMOS sintetizzatore PLL, SMD FPT-16P-M02

Codice d'ordine:	MB87076
	Circuito integrato CMOS sintetizzatore PLL, SMD FPT-16P-M02 Fujitsu MB87076
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Funzione :	PLL Synthesizer
Tensione di alimentazione (min. o fissa) :	2.7 V
Tensione di alimentazione (max.):	5.5 V
Contenitore:	FPT-16P-M02
Montaggio:	SMD

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Circuito integrato doppio modulo prescaler, divisione 32/33 o 64/65, FPT-08P-M01

Codice d'ordine:	MB504LV
	Circuito integrato doppio modulo prescaler, divisione 32/33 o 64/65, FPT-08P-M01 Fujitsu MB504LV
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia :	prescaler
Frequenza max. :	1.1 GHz
Fattore di divisione/moltiplicazione:	32/33, 64/65
Tensione di alimentazione (min.):	2.7 V
Tensione di alimentazione (max.):	4.5 V
Temperatura di esercizio:	-40 / +85 °C
Contenitore:	FPT-08P-M01
Montaggio :	SMD

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Circuito integrato CMOS sintetizzatore PLL, fino a 2.5 GHz, SMD SSOP-16

Codice d'ordine:	MB15E06PFV1
	Circuito integrato CMOS sintetizzatore PLL, fino a 2.5 GHz, SMD SSOP-16 Fujitsu MB15E06PFV1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Funzione :	PLL Synthesizer
Tensione di alimentazione (min. o fissa) :	2.7 V
Tensione di alimentazione (max.):	3.6 V
Contenitore:	SSOP-16
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	FMC3485VA-03
	GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FMC3485VA-03
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Corrente di drain (Id):	270 mA
Guadagno:	20 dB
Potenza di uscita:	24 dBm
Frequenza min.:	2.5 GHz
Frequenza max. :	9.5 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLX102MH-12
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLX102MH-12
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	400 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	30 dBm
Potenza dissipata:	7.5 W
Frequenza max. :	14 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza per banda Ku

Codice d'ordine:	FLK022WG
	GaAs-FET di media potenza per banda Ku Fujitsu FLK022WG
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	100 mA
Guadagno:	7 dB
Potenza di uscita:	24 dBm
Potenza dissipata:	1.875 W
Frequenza max. :	16 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLL171ME
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLL171ME
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	600 mA
Guadagno:	12.5 dB
Potenza di uscita:	32.5 dBm
Potenza dissipata:	7.5 W
Frequenza max. :	5 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FLK012WF
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLK012WF
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	20.5 dBm
Potenza dissipata:	1.15 W
Frequenza max. :	16 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLC161WF
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLC161WF
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	600 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	31.8 dBm
Potenza dissipata:	7.5 W
Frequenza max. :	12 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLC091WF
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLC091WF
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	300 mA
Guadagno:	8.5 dB
Potenza di uscita:	28.8 dBm
Potenza dissipata:	4.16 W
Frequenza max. :	12 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	FLM7177-4D
	GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FLM7177-4D
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	1.8 A
Guadagno:	8 dB
Potenza di uscita:	36 dBm
Potenza dissipata:	25 W
Frequenza min.:	7 GHz
Frequenza max. :	7.9 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	FLM7177-8D
	GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FLM7177-8D
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	2.2 A
Guadagno:	7 dB
Potenza di uscita:	39 dBm
Potenza dissipata:	42.8 W
Frequenza min.:	6.9 GHz
Frequenza max. :	7.9 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

Vai alla pagina del prodotto FLM7177-8D

GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FLR016FH
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLR016FH
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	13 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-3 V
Corrente di drain (Id):	70 mA
Guadagno:	8.5 dB
Potenza di uscita:	20 dBm
Potenza dissipata:	1.15 W
Frequenza max. :	20 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	SMD

Vai alla pagina del prodotto FLR016FH

GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLX102MB
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLX102MB
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	400 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	30 dBm
Potenza dissipata:	7.5 W
Frequenza max. :	14 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

Vai alla pagina del prodotto FLX102MB

GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FLR014FH
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLR014FH
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno:	6.5 dB
Potenza di uscita:	19.5 dBm
Potenza dissipata:	1 W
Frequenza max. :	20 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	SMD

Vai alla pagina del prodotto FLR014FH

GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLU10XM
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLU10XM
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	300 mA
Guadagno:	14.5 dB
Potenza di uscita:	29.5 dBm
Potenza dissipata:	4.16 W
Frequenza max. :	5 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	SMD

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Amplificatore di potenza MMIC, contenitore ermetico ceramico

Codice d'ordine:	FMM5822VU
	Amplificatore di potenza MMIC, contenitore ermetico ceramico Eudyna FMM5822VU
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Frequenza min.:	17.7 GHz
Frequenza max.:	19.7 GHz
Tensione operativa:	6 V
Corrente operativa:	850 mA
Guadagno (max.):	21 dB
Potenza di uscita (max.):	32 dBm
Contenitore:	6.7x8.3 mm ceramic
Montaggio:	SMD

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Amplificatore di potenza MMIC, contenitore ermetico ceramico

Codice d'ordine:	EMM5832VU
	Amplificatore di potenza MMIC, contenitore ermetico ceramico Eudyna EMM5832VU
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Frequenza min.:	21.2 GHz
Frequenza max.:	26.5 GHz
Tensione operativa:	6 V
Corrente operativa:	800 mA
Guadagno (max.):	23 dB
Potenza di uscita (max.):	31 dBm
Contenitore:	6.7x8.3 mm ceramic
Montaggio:	SMD

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