Fujitsu | Transistor - FET e GaAs-FET RF di potenza

GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FSX52WF
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FSX52WF
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	12 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	150 mA
Guadagno:	10 dB
Potenza di uscita:	23 dBm
Potenza dissipata:	1.5 W
Frequenza max. :	15 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FSX51WF
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FSX51WF
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	12 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno:	9.5 dB
Potenza di uscita:	19 dBm
Potenza dissipata:	1 W
Frequenza max. :	15 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	FMC3485VA-03
	GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FMC3485VA-03
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Corrente di drain (Id):	270 mA
Guadagno:	20 dB
Potenza di uscita:	24 dBm
Frequenza min.:	2.5 GHz
Frequenza max. :	9.5 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLX102MH-12
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLX102MH-12
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	400 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	30 dBm
Potenza dissipata:	7.5 W
Frequenza max. :	14 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza per banda Ku

Codice d'ordine:	FLK022WG
	GaAs-FET di media potenza per banda Ku Fujitsu FLK022WG
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	100 mA
Guadagno:	7 dB
Potenza di uscita:	24 dBm
Potenza dissipata:	1.875 W
Frequenza max. :	16 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLL171ME
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLL171ME
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	600 mA
Guadagno:	12.5 dB
Potenza di uscita:	32.5 dBm
Potenza dissipata:	7.5 W
Frequenza max. :	5 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FLK012WF
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLK012WF
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	20.5 dBm
Potenza dissipata:	1.15 W
Frequenza max. :	16 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLC161WF
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLC161WF
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	600 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	31.8 dBm
Potenza dissipata:	7.5 W
Frequenza max. :	12 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLC091WF
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLC091WF
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	300 mA
Guadagno:	8.5 dB
Potenza di uscita:	28.8 dBm
Potenza dissipata:	4.16 W
Frequenza max. :	12 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	FLM7177-4D
	GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FLM7177-4D
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	1.8 A
Guadagno:	8 dB
Potenza di uscita:	36 dBm
Potenza dissipata:	25 W
Frequenza min.:	7 GHz
Frequenza max. :	7.9 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	FLM7177-8D
	GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FLM7177-8D
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	2.2 A
Guadagno:	7 dB
Potenza di uscita:	39 dBm
Potenza dissipata:	42.8 W
Frequenza min.:	6.9 GHz
Frequenza max. :	7.9 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

Vai alla pagina del prodotto FLM7177-8D

GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLX102MB
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLX102MB
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	400 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	30 dBm
Potenza dissipata:	7.5 W
Frequenza max. :	14 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FLR014FH
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLR014FH
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno:	6.5 dB
Potenza di uscita:	19.5 dBm
Potenza dissipata:	1 W
Frequenza max. :	20 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	SMD

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FLR016FH
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLR016FH
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	13 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-3 V
Corrente di drain (Id):	70 mA
Guadagno:	8.5 dB
Potenza di uscita:	20 dBm
Potenza dissipata:	1.15 W
Frequenza max. :	20 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	SMD

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