TIL | Transistor - FET e GaAs-FET RF di potenza

GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	FLM7177-8D
	GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FLM7177-8D
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	2.2 A
Guadagno:	7 dB
Potenza di uscita:	39 dBm
Potenza dissipata:	42.8 W
Frequenza min.:	6.9 GHz
Frequenza max. :	7.9 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	FMC3485VA-03
	GaAs-FET di potenza internally matched Fujitsu FMC3485VA-03
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Corrente di drain (Id):	270 mA
Guadagno:	20 dB
Potenza di uscita:	24 dBm
Frequenza min.:	2.5 GHz
Frequenza max. :	9.5 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FLR016FH
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLR016FH
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	13 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-3 V
Corrente di drain (Id):	70 mA
Guadagno:	8.5 dB
Potenza di uscita:	20 dBm
Potenza dissipata:	1.15 W
Frequenza max. :	20 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	SMD

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FLR014FH
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FLR014FH
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	60 mA
Guadagno:	6.5 dB
Potenza di uscita:	19.5 dBm
Potenza dissipata:	1 W
Frequenza max. :	20 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	SMD

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	MGFC36V7177
	GaAs-FET di potenza internally matched MITSUBISHI MGFC36V7177
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-15 V
Corrente di drain (Id):	2.8 A
Guadagno:	9 dB
Potenza di uscita:	36 dBm
Potenza dissipata:	25 W
Frequenza min.:	7.1 GHz
Frequenza max. :	7.7 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	MGFC39V7177A
	GaAs-FET di potenza internally matched MITSUBISHI MGFC39V7177A
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-15 V
Corrente di drain (Id):	7.5 A
Guadagno:	8 dB
Potenza di uscita:	39 dBm
Potenza dissipata:	42.8 W
Frequenza min.:	7.1 GHz
Frequenza max. :	7.7 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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