mis | Transistor - FET e GaAs-FET RF di potenza

FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	EIB1415-2P
	FET di potenza internally matched Excelics EIB1415-2P
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	FET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	850 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	33 dBm
Potenza dissipata:	16 W
Frequenza min.:	14.4 GHz
Frequenza max. :	15.35 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic
Montaggio :	flangia

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FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	EIB1213-2P
	FET di potenza internally matched Excelics EIB1213-2P
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	FET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	850 mA
Guadagno:	8.5 dB
Potenza di uscita:	33 dBm
Potenza dissipata:	16 W
Frequenza min.:	12.75 GHz
Frequenza max. :	13.25 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FSX52WF
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FSX52WF
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	12 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	150 mA
Guadagno:	10 dB
Potenza di uscita:	23 dBm
Potenza dissipata:	1.5 W
Frequenza max. :	15 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza

Codice d'ordine:	FLX102MB
	GaAs-FET di potenza Fujitsu FLX102MB
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	15 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	400 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	30 dBm
Potenza dissipata:	7.5 W
Frequenza max. :	14 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	MGF1801B
	GaAs-FET di media potenza MITSUBISHI MGF1801B
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	6 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-8 V
Corrente di drain (Id):	250 mA
Guadagno:	9 dB
Potenza di uscita:	23 dBm
Potenza dissipata:	1.2 W
Frequenza max. :	12 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	100 mil
Montaggio :	SMD

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