IMS | Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	HBFP-0420
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Agilent Technologies HBFP-0420
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	36 mA
Potenza dissipata (Ptot):	162 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	2SC787
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 TOSHIBA 2SC787
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	1 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	150 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	BFR36
	Transistor RF NPN al silicio, TO-39 STMicroelectronics BFR36
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Frequenza di transizione (fT):	1.4 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Potenza dissipata (Ptot):	800 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-103

Codice d'ordine:	BFG96
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-103 Philips BFG96
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	75 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-103
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-23

Codice d'ordine:	BFR92P
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-23 Siemens BFR92P
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	280 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223

Codice d'ordine:	BFG193
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223 Siemens BFG193
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	80 mA
Potenza dissipata (Ptot):	600 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore :	plastico

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