HewlettPackard | Transistor - FET e GaAs-FET RF

GaAs-FET per uso generale e basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-10736
	GaAs-FET per uso generale e basso rumore Hewlett-Packard ATF-10736-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	130 mA
Guadagno associato (Ga):	13 dB
Potenza dissipata:	430 mW
Frequenza max.:	6 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-13136
	GaAs-FET a basso rumore Hewlett-Packard ATF-13136-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	9.5 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	micro-X
Montaggio:	SMD

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pHEMT a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-35076
	pHEMT a basso rumore Hewlett-Packard ATF-35076-TR1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	pHEMT
Tensione drain-source (Vds):	4 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-3 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	11 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	18 GHz
Contenitore:	70 mil ceramic
Montaggio:	SMD

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GaAs-FET a basso rumore

Codice d'ordine:	ATF-13170
	GaAs-FET a basso rumore Hewlett-Packard ATF-13170
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	5 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-4 V
Corrente di drain (Id):	50 mA
Guadagno associato (Ga):	10 dB
Potenza dissipata:	225 mW
Frequenza max.:	16 GHz
Contenitore:	70 mil ceramic
Montaggio:	SMD

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