Erie | Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN, SOT-37

Codice d'ordine:	BFR96TS
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-37 Vishay BFR96TS
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-92

Codice d'ordine:	2N3904
	Transistor RF bipolare NPN, TO-92 Fairchild Semiconductor 2N3904
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	300 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	625 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	2SC2347
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 TOSHIBA 2SC2347
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	650 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN alsilicio, SOT-23

Codice d'ordine:	2SC3356
	Transistor RF bipolare NPN alsilicio, SOT-23 NEC 2SC3356-T1B (R25)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	7 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	MMBR901LT1
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 Motorola MMBR901LT1
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	3.8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	HBFP-0420
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Agilent Technologies HBFP-0420
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	36 mA
Potenza dissipata (Ptot):	162 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-343R

Codice d'ordine:	BFG425W
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-343R Philips BFG425W
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	25 mA
Potenza dissipata (Ptot):	135 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343R
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-103

Codice d'ordine:	BFG195
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-103 Philips BFG195
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	10 V
Frequenza di transizione (fT):	7.5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-103
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223

Codice d'ordine:	BFG193
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223 Siemens BFG193
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	80 mA
Potenza dissipata (Ptot):	600 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	BF199F
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 Fairchild Semiconductor BF199
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	1100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	350 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF155
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS-Thomson BF155
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	800 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	BFP405
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Siemens BFP405
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	12 mA
Potenza dissipata (Ptot):	55 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	BFP450
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Siemens BFP450
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	24 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	450 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	BFP420
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Infineon BFP420
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	160 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	BFR36
	Transistor RF NPN al silicio, TO-39 STMicroelectronics BFR36
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	30 V
Frequenza di transizione (fT):	1.4 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Potenza dissipata (Ptot):	800 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	2SC787
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 TOSHIBA 2SC787
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	1 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	150 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

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