BI Technologies | Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-41486
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86 Agilent Technologies AT-41486
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	HBFP-0420
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Agilent Technologies HBFP-0420
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	36 mA
Potenza dissipata (Ptot):	162 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100B

Codice d'ordine:	HXTR-3102
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100B Agilent Technologies HXTR-3102
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	HPAC-100B
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	BFP420
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Infineon BFP420
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	160 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare PNP al germanio, SOT-37

Codice d'ordine:	AF379
	Transistor RF bipolare PNP al germanio, SOT-37 AF379
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-13 V
Frequenza di transizione (fT):	1.25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	-20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	100 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-37
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	BFP405
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Siemens BFP405
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	12 mA
Potenza dissipata (Ptot):	55 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	BFP450
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Siemens BFP450
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	24 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	450 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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