MITSUBISHI | Transistor - FET e GaAs-FET RF di potenza

GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	MGF1801B
	GaAs-FET di media potenza MITSUBISHI MGF1801B
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	6 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-8 V
Corrente di drain (Id):	250 mA
Guadagno:	9 dB
Potenza di uscita:	23 dBm
Potenza dissipata:	1.2 W
Frequenza max. :	12 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	100 mil
Montaggio :	SMD

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	MGFC36V7177
	GaAs-FET di potenza internally matched MITSUBISHI MGFC36V7177
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-15 V
Corrente di drain (Id):	2.8 A
Guadagno:	9 dB
Potenza di uscita:	36 dBm
Potenza dissipata:	25 W
Frequenza min.:	7.1 GHz
Frequenza max. :	7.7 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	MGFC39V7177A
	GaAs-FET di potenza internally matched MITSUBISHI MGFC39V7177A
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-15 V
Corrente di drain (Id):	7.5 A
Guadagno:	8 dB
Potenza di uscita:	39 dBm
Potenza dissipata:	42.8 W
Frequenza min.:	7.1 GHz
Frequenza max. :	7.7 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di potenza internally matched

Codice d'ordine:	MGFK35V2732
	GaAs-FET di potenza internally matched MITSUBISHI MGFK35V2732
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	10 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-15 V
Corrente di drain (Id):	2.8 A
Guadagno:	7 dB
Potenza di uscita:	35.5 dBm
Potenza dissipata:	27.2 W
Frequenza min.:	12.7 GHz
Frequenza max. :	13.2 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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GaAs-FET di media potenza

Codice d'ordine:	FSX52WF
	GaAs-FET di media potenza Fujitsu FSX52WF
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	GaAs-FET
Tensione drain-source (Vds):	12 V
Tensione gate-source (Vgs) :	-5 V
Corrente di drain (Id):	150 mA
Guadagno:	10 dB
Potenza di uscita:	23 dBm
Potenza dissipata:	1.5 W
Frequenza max. :	15 GHz
Internally matched:	No
Contenitore:	metal-ceramic hermetic
Montaggio :	flangia

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