SGS-Thomson | Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-106

Codice d'ordine:	BF497
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-106 SGS-Thomson BF497
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	1 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-106
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF497

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF161
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS-Thomson BF161
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	50 V
Frequenza di transizione (fT):	550 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	260 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF161

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF155
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS-Thomson BF155
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	800 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF155