SGS | Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF173
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS BF173
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	1 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	25 mA
Potenza dissipata (Ptot):	175 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF173

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	2N5179
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS 2N5179
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	1.4 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto 2N5179

Transistor bipolare NPN al silicio, TO-5

Codice d'ordine:	BFR20
	Transistor bipolare NPN al silicio, TO-5 SGS BFR20
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	35 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	1 A
Potenza dissipata (Ptot):	800 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-5
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BFR20

Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	BFW44
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39 SGS BFW44
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-150 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	700 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BFW44

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	BFY57
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39 SGS BFY57
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	125 V
Frequenza di transizione (fT):	40 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	5 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BFY57

Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	BF509
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92 SGS BF509
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-35 V
Frequenza di transizione (fT):	700 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-30 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

Vai alla pagina del prodotto BF509

Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BFR38
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-72 SGS-ATES BFR38
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-35 V
Frequenza di transizione (fT):	1 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	-20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BFR38

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-106

Codice d'ordine:	BF497
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-106 SGS-Thomson BF497
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	1 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-106
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF497

Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72

Codice d'ordine:	AF239
	Transistor RF bipolare PNP al germanio, TO-72 SGS-ATES AF239
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-15 V
Frequenza di transizione (fT):	700 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-10 mA
Potenza dissipata (Ptot):	60 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto AF239

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF155
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS-Thomson BF155
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	800 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF155

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

Codice d'ordine:	BF161
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72 SGS-Thomson BF161
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	50 V
Frequenza di transizione (fT):	550 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	260 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-72
Tipo contenitore :	metallico

Vai alla pagina del prodotto BF161