PTF10041 - Transistor de puissance RF LD-MOSFET, 26 V, 12 W

MOSFET LD de puissance RF, 26 V, 12 W

CARACTÉRISTIQUES:

• Tension d'entrée : 26 V
• Tension grille-source : ±20 V
• Tension drain-source : 65 V
• Puissance de sortie : 12 W
• Dissipation totale de l'appareil : 58 W
• Gain de puissance : 10 dB à 1930 MHz, 26 V, 155 mA, _sortie P 3 W

Ce FET de puissance est disponible pour une utilisation dans la bande 400 MHz - 2,4 GHz à un prix très abordable. Grâce au développement remarquable des stations de base dans la bande 1,9 GHz pour les infrastructures cellulaires et autres infrastructures sans fil, des appareils dotés d'un boîtier céramique professionnel sont désormais disponibles à des prix jusqu'ici inimaginables. Ce FET, destiné aux applications de moyenne puissance jusqu'à 2,4 GHz, offre actuellement le meilleur compromis qualité-prix. Bien sûr, il est également possible de l'utiliser à partir de 100 MHz, mais nous pensons qu'une utilisation au-delà de 400 MHz est plus pratique. De fait, ce dispositif n'est pas pré-adapté et fonctionne donc parfaitement sur les circuits haut débit.

AVERTISSEMENT : en raison du gain élevé et des basses fréquences, nous recommandons (comme pour tous les appareils à large bande) de limiter le gain aux basses fréquences. En réalité, le circuit ci-dessous n'offre pas les meilleures performances possibles pour le PTF10041 à 1,3 GHz, mais il est très stable car il ne présente pas d'auto-oscillations et offre une amplification plus faible aux basses fréquences.

Test PTF10041 à 1,3 GHz
Il est préférable d'obtenir le circuit de polarisation à partir d'un stabilisateur de tension commun, la tension de polarisation sur la grille est d'environ +4,5/+5V
	C1 = 6p8 C2 = 5p6 C3 = 2p7 C4 = 2p7 C5 = 3p3 C6 + C7 = céramique by-pass C8 = tantale by-pass R1 = 470Ω 0805 R2 = 470Ω 0805 R3 = 8,2 KΩ 0805 R4 = 10 kΩ L1 = 2 t Ø 5 mm CuAg Ø 0,5 – 0,6 mm L2 + L3 = self RF Z1 + Z2 voir PCB PCB = FR4 0,8 mm d'épaisseur
V CC = 12,6 V
Polarisation 150 mA : 2,8 W à 0,6 A 10,5 dBGlin --- Polarisation 300 mA : 3,4 W à 0,7 A 12,8 dBGlin Polarisation 500 mA : 4 W à 0,8 A 13,5 dBGlin --- Polarisation V ~ + 5 V --- B-1 dB = ~ 100 MHz