Transistor RF di potenza NPN lineare al silicio

Transistor RF di potenza NPN lineare al silicio

• Polarità:
  NPN
• Potenza di uscita:
  1.15 W
• Potenza dissipata (Ptot):
  19.3 W
• Corrente al collettore (Ic max):
  1.25 A
• Tensione collettore-emettitore (Vce max) :
  30 V
• Tensione di alimentazione:
  25 V
• Montaggio o contentitore:
  a vite
• Bande di frequenza:
  UHF