GaAs-FET di potenza internally matched

GaAs-FET di potenza internally matched

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  10 V
• Tensione gate-source (V_gs) :
  -15 V
• Corrente di drain (I_d):
  2.8 A
• Guadagno:
  7 dB
• Potenza di uscita:
  35.5 dBm
• Potenza dissipata:
  27.2 W
• Frequenza min.:
  12.7 GHz
• Frequenza max. :
  13.2 GHz
• Internally matched:
  Si
• Contenitore:
  metal-ceramic hermetic
• Montaggio :
  flangia