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2SC2669 TOSHIBA

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 2-4E1A

TOSHIBA
2SC2669
Codice d'ordine: 2SC2669
Transistor - BJT
Condizioni del prodotto: N     
  • NPN
  • 30 V
  • 100 MHz
  • 50 mA
  • 200 mW
  • foro passante
  • 2-4E1A
  • plastico
  Titolo Dimensione  
2SC2669 - Datasheet 289.7 kB

Amplificatore IF ad alto guadagno, contenitore plastico TOSHIBA 2-4E1A (simile TO-92)

  • 85412900
  • 0.13 g
  • No
  • Non disponibile
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