BFW30
Siemens BFW30

Transistor RF bipolare NPN al silicio, fT 1.6 GHz, 250mW, IC 50mA, contenitore metallico TO-72

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, fT 1.6 GHz, 250mW, IC 50mA, contenitore metallico TO-72

Transistor RF bipolare NPN al silicio

SPECIFICHE:

  • Transition frequency (fT): 1.6 GHz
  • Collector current (IC): 50mA
  • Power gain: 21dB @ 200 MHz
  • Noise figure: 2.1dB @ 200 MHz
  • Total power dissipation: 250mW
  • Package: TO-72 metallic

Questo transistor è stato progettato per usi professionali sia come amplificatore a banda larga che per uso strumentazione, ma anche per amplificazione TV ad alta dinamica.

Per applicazioni ed uso generico fino a 1 GHz grazie al contenitore metallico e ad alto guadagno in HF e VHF

CLASSE A:

  • Frequency Bands: I, II, III, IV, V
  • Class A output level: 100mV, IC 30mA
BFW30
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Datasheet 64.4 kB
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