Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil

Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  18 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  6 GHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  65 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  600 mW
• Montaggio:
  superficiale
• Contenitore:
  HPAC-100N
• Tipo contenitore :
  ceramico