Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-50

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-50

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  12 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  4.5 GHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  30 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  200 mW
• Montaggio:
  superficiale
• Contenitore:
  TO-50
• Tipo contenitore :
  plastico