Transistor bipolare NPN al silicio, TO-5

Transistor bipolare NPN al silicio, TO-5

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  35 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  100 MHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  1 A
• Potenza dissipata (Ptot):
  800 mW
• Montaggio:
  foro passante
• Contenitore:
  TO-5
• Tipo contenitore :
  metallico