Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-106

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-106

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  25 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  1 GHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  50 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  200 mW
• Montaggio:
  foro passante
• Contenitore:
  TO-106
• Tipo contenitore :
  metallico