Transistor RF di potenza NPN al silicio

Transistor RF di potenza NPN al silicio

• Polarità:
  NPN
• Potenza di uscita:
  3 W
• Potenza dissipata (Ptot):
  10 W
• Corrente al collettore (Ic max):
  1.2 A
• Tensione collettore-emettitore (Vce max) :
  10 V
• Tensione di alimentazione:
  7.5 V
• Montaggio o contentitore:
  SOT-122D
• Bande di frequenza:
  UHF