ON Semiconductor | Transistor - BJT

Transistor bipolare NPN ad alta tensione, SOT-223

Codice d'ordine:	BF720
	Transistor bipolare NPN ad alta tensione, SOT-223 ON Semiconductor BF720T1G
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	300 V
Frequenza di transizione (fT):	60 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1.2 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	MMBT5551LT1
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 ON Semiconductor MMBT5551LT1
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	160 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare PNP ad alta tensione, SOT-223

Codice d'ordine:	BF721
	Transistor bipolare PNP ad alta tensione, SOT-223 ON Semiconductor BF721T1G
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-300 V
Frequenza di transizione (fT):	60 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1.2 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	BF199F
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92 Fairchild Semiconductor BF199
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	25 V
Frequenza di transizione (fT):	1100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	350 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-18

Codice d'ordine:	2N2484
	Transistor RF bipolare NPN, TO-18 National Semiconductor 2N2484
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	60 V
Frequenza di transizione (fT):	60 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	360 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Codice d'ordine:	2N5109
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39 Central Semiconductor Corp. 2N5109
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Frequenza di transizione (fT):	1.2 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	400 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1 W
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-39
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN, TO-92

Codice d'ordine:	2N3904
	Transistor RF bipolare NPN, TO-92 Fairchild Semiconductor 2N3904
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	40 V
Frequenza di transizione (fT):	300 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	200 mA
Potenza dissipata (Ptot):	625 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare PNP, TO-18

Codice d'ordine:	2N2907A
	Transistor RF bipolare PNP, TO-18 Fairchild Semiconductor 2N2907A
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-60 V
Frequenza di transizione (fT):	200 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-600 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1.8 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-18
Tipo contenitore :	metallico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343N

Codice d'ordine:	BFG520WX
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343N NXP Semiconductors BFG520W/X
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	9 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	70 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343N
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare PNP, SOT-23

Codice d'ordine:	BC856
	Transistor bipolare PNP, SOT-23 NXP Semiconductors BC856
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-65 V
Frequenza di transizione (fT):	100 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92

Codice d'ordine:	BC253B
	Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92 ITT Semiconductors BC253B
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	PNP
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	-25 V
Frequenza di transizione (fT):	150 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	-100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	foro passante
Contenitore:	TO-92
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	BFG540
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 NXP Semiconductors BFG540
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	9 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	120 mA
Potenza dissipata (Ptot):	400 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343N

Codice d'ordine:	BFG540WX
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343N NXP Semiconductors BFG540W/X
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	9 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	120 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343N
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-89

Codice d'ordine:	BFQ19
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-89 NXP Semiconductors BFQ19
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	15 V
Frequenza di transizione (fT):	5.5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-89
Tipo contenitore :	plastico

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