Infineon | Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

Codice d'ordine:	BFG196
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-223 Infineon BFG196
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	7.5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	800 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-223
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	BFP182
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Infineon BFP182
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	BCX70G
	Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-23 Infineon BCX70G
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	45 V
Frequenza di transizione (fT):	50 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	330 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-323

Codice d'ordine:	BC847BW
	Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-323 Infineon BC847BW
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	45 V
Frequenza di transizione (fT):	250 MHz
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-323
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	BFP420
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Infineon BFP420
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	4.5 V
Frequenza di transizione (fT):	25 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	160 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-323

Codice d'ordine:	BFR182W
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-323 Infineon BFR182W
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-323
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

Codice d'ordine:	BFR182
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23 Infineon BFR182
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	35 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-23
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

Codice d'ordine:	BFP520
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343 Infineon BFP520
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	2.5 V
Frequenza di transizione (fT):	45 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	40 mA
Potenza dissipata (Ptot):	100 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-343
Tipo contenitore :	plastico

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