Hewlett-Packard | Transistor - BJT

Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil

Codice d'ordine:	HXTR-6103
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil Hewlett-Packard HXTR-6103 (2N6618)
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	20 V
Corrente al collettore (Ic max):	20 mA
Potenza dissipata (Ptot):	300 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	HPAC-100
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100

Codice d'ordine:	HXTR-5101
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100 Hewlett-Packard HXTR-5101
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	27 V
Corrente al collettore (Ic max):	100 mA
Potenza dissipata (Ptot):	1.1 W
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	HPAC-100
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN, SOT-143

Codice d'ordine:	HSMX-3655
	Transistor RF bipolare NPN, SOT-143 Hewlett-Packard HSMX-3655
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	16 V
Frequenza di transizione (fT):	5 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	65 mA
Potenza dissipata (Ptot):	250 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-200GB/GT

Codice d'ordine:	HXTR-4103
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-200GB/GT Hewlett-Packard HXTR-4103
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	27 V
Frequenza di transizione (fT):	4 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	250 mA
Potenza dissipata (Ptot):	4 W
Montaggio:	flangia
Contenitore:	HPAC-200GB/GT
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil

Codice d'ordine:	HXTR-3645
	Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil Hewlett-Packard HXTR-3645
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	18 V
Frequenza di transizione (fT):	6 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	65 mA
Potenza dissipata (Ptot):	600 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	HPAC-100N
Tipo contenitore :	ceramico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	AT-00511
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Hewlett-Packard AT-00511-tr1
Condizioni:	N- (Il prodotto è nuovo ma proviene da una vecchia produzione)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	7 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	50 mA
Potenza dissipata (Ptot):	230 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN, contentiore plastico 86

Codice d'ordine:	AT-41586
	Transistor RF bipolare NPN, contentiore plastico 86 Hewlett-Packard AT-41586
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	12 V
Frequenza di transizione (fT):	8 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	60 mA
Potenza dissipata (Ptot):	500 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	86
Tipo contenitore :	plastico

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Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

Codice d'ordine:	AT-32011
	Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143 Hewlett-Packard AT-32011
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Polarità:	NPN
Tensione collettore-emettitore (Vce max):	5.5 V
Frequenza di transizione (fT):	10 GHz
Corrente al collettore (Ic max):	32 mA
Potenza dissipata (Ptot):	200 mW
Montaggio:	superficiale
Contenitore:	SOT-143
Tipo contenitore :	plastico

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