Transistor RF di potenza NPN al silicio, SO-8

Transistor RF di potenza NPN al silicio, SO-8

• Polarità:
  NPN
• Potenza di uscita:
  1.2 W
• Potenza dissipata (Ptot):
  2.9 W
• Corrente al collettore (Ic max):
  500 mA
• Tensione collettore-emettitore (Vce max) :
  8 V
• Tensione di alimentazione:
  4.8 V
• Montaggio o contentitore:
  SO-8
• Bande di frequenza:
  UHF