GaAs-FET amplificatore di basso segnale

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  4 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -3 V
• Corrente di drain (I_d):
  50 mA
• Potenza dissipata:
  200 mW
• Frequenza max.:
  2 GHz
• Contenitore:
  4PSOP
• Montaggio:
  SMD

GaAs-FET amplificatore di basso segnale