Transistor RF di potenza NPN al silicio

Transistor RF di potenza NPN al silicio

• Polarità:
  NPN
• Potenza di uscita:
  3.2 W
• Potenza dissipata (Ptot):
  10 W
• Corrente al collettore (Ic max):
  750 mA
• Tensione collettore-emettitore (Vce max) :
  18 V
• Tensione di alimentazione:
  12.6 V
• Montaggio o contentitore:
  a vite
• Bande di frequenza:
  UHF