GaAs-pHEMT di potenza internally matched

GaAs-pHEMT di potenza internally matched

• Tipologia:
  AlGaAs-pHEMT
• Tensione drain-source (V_ds):
  15 V
• Tensione gate-source (V_gs) :
  -5 V
• Guadagno:
  12 dB
• Potenza di uscita:
  44.8 dBm
• Potenza dissipata:
  79 W
• Frequenza min.:
  3.4 GHz
• Frequenza max. :
  3.6 GHz
• Internally matched:
  Si
• Contenitore:
  metal-ceramic
• Montaggio :
  flangia