Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-60

Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-60

• Polarità:
  NPN
• Potenza di uscita:
  13.5 W
• Potenza dissipata (Ptot):
  23 W
• Corrente al collettore (Ic max):
  3 A
• Tensione collettore-emettitore (Vce max) :
  40 V
• Tensione di alimentazione:
  28 V
• Montaggio o contentitore:
  TO-60
• Bande di frequenza:
  VHF