MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 75W, 20A

Magazzino
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Conformità
Codice doganale UE	85412900
Peso	6.00 g
RoHS	Si
REACH	Non disponibile

Potenza di uscita:
75 W
Potenza dissipata (Ptot):
150 W
Corrente di drain (Id max):
20 A
Tensione drain-souce (Vds max):
30 V
Tensione di alimentazione:
12.5 V
Montaggio o contentitore:
flangia
Bande di frequenza:
UHF
VHF

MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 75W, 20A

MOSFET power transistor RF al silicio

SPECIFICHE:

Drain to source voltage (V_DSS): 30V
Supply voltage: 12.5V
Drain current (I_D): 20A
Frequency band: HF - VHF - UHF
Output Power: 75W (typ.)
- 50 MHz 75W, P_in 4W
- 175 MHz 75W, P_in 6W
- 520 MHz 55W, P_in 10W
Channel dissipation (P_ch): 150W

Utilizzato all'interno di svariati transceiver come Icom, YAESU e altri.

Codice d'ordine: RD70HVF1

Categoria: Transistor - FET e MOSFET di potenza

	Titolo	Dimensione
	Datasheet	534.5 kB

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MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 75W, 20A

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