MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 75W, 20A

• Potenza di uscita:
  75 W
• Potenza dissipata (Ptot):
  150 W
• Corrente di drain (Id max):
  20 A
• Tensione drain-souce (Vds max):
  30 V
• Tensione di alimentazione:
  12.5 V
• Montaggio o contentitore:
  flangia
• Bande di frequenza:
  UHF
  VHF

MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 75W, 20A

MOSFET power transistor RF al silicio

SPECIFICHE:

• Drain to source voltage (V_DSS): 30V
• Supply voltage: 12.5V
• Drain current (I_D): 20A
• Frequency band: HF - VHF - UHF
• Output Power: 75W (typ.)
  • 50 MHz 75W, P_in 4W
  • 175 MHz 75W, P_in 6W
  • 520 MHz 55W, P_in 10W
• Channel dissipation (P_ch): 150W

Utilizzato all'interno di svariati transceiver come Icom, YAESU e altri.