Marca: MITSUBISHI
Codice produttore: MGF4917D
Codice d'ordine: MGF4917D
InGaAs-HEMT ultra low noise
Condizioni del prodotto: N
$6.33
/ pz
(Prezzi IVA esclusa)
| Magazzino | |
|---|---|
| 13 pz | in pronta consegna |
| Conformità | |
|---|---|
| Codice doganale UE | 85412900 |
| Peso | 1.00 g |
| RoHS | No |
| REACH | Non disponibile |
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InGaAs-HEMT
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2 V
-
-4 V
-
60 mA
-
11.5 dB
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50 mW
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20 GHz
-
GD-16 (70 mil) ceramic
-
SMD
InGaAs-HEMT ultra low noise
InGaAs-HEMT amplificatore ultra low noise fino 20 GHz, IDSS 20mA con VDS 2V, contenitore ceramico 70 mil con reofori corti
- 0,35 dBNF 20 dBG @ 1 GHz
- 0,41 dBNF 16.5 dBG @ 4 GHz
- 0.9 dBNF 11.5 dBG @ 12 GHz
- 1.3 dBNF 7.4 dBG @ 18 GHz
- P1dB +15dBm @ 12 GHz
(Nota: MGF4917D reofori corti su reel = MGF4317D reofori lunghi)
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