GaAs-FET amplificatore di potenza

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  9 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -6 V
• Corrente di drain (I_d):
  600 mA
• Guadagno:
  15.5 dB
• Potenza di uscita:
  23.5 dBm
• Potenza dissipata:
  900 mW
• Frequenza max.:
  6 GHz
• Internally matched:
  No
• Contenitore:
  MW-6
• Montaggio:
  SMD

GaAs-FET amplificatore di potenza

GaAs-FET amplificatore da 50 MHz a 6 GHz, I_DSS 450mA, uscita 0.5W max. contenitore plastico SMD

- 18 dBG @ 1 GHz
- 13 dBG @ 2.3 GHz
- 12 dBG @ 3 GHz