GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  7 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -4 V
• Corrente di drain (I_d):
  120 mA
• Guadagno associato (G_a):
  13 dB
• Potenza dissipata:
  600 mW
• Frequenza max.:
  6 GHz
• Contenitore:
  70 mil ceramic
• Montaggio:
  SMD

GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

GaAs FET a basso rumore fino a 6 GHz e alta dinamica, con I_DSS 80-200mA, contenitore ermetico ceramico dorato HI-REL 70 mil

- 1.2 dBNF, 12 dBG, P1dB +23dBm @ 6 GHz