Diodo Schottky

• Tensione inversa (V_R):
  8 V
• Tensione diretta (V_F tip., I_F = 1 mA) :
  330 mV
• Corrente diretta (I_F):
  10 mA
• Capacità (C_J):
  1.2 pF
• Contenitore:
  DO-35
• Montaggio:
  assiale
• Configurazione:
  singolo
• Temp. di giunzione (T_j) (°C):
  100
• Low Barrier / Zero Bias:
  No

Diodo Schottky

Per uso generale fino a 3 GHz, ottime prestazioni come mixer low noise e basso rumore rosa (1/f noise)