Diodo Schottky

• Tensione inversa (V_R):
  70 V
• Tensione diretta (V_F tip., I_F = 1 mA) :
  380 mV
• Corrente diretta (I_F):
  15 mA
• Capacità (C_J):
  2 pF
• Contenitore:
  DO-35
• Montaggio:
  assiale
• Configurazione:
  singolo
• Temp. di giunzione (T_j) (°C):
  200
• Low Barrier / Zero Bias:
  No

Diodo Schottky

Applicazioni fino a 2 GHz come detector e fino a 1.5 GHz come mixer, utilizzati per la protezione sull'ingresso RX in HF e VHF grazie alla bassa capacità e alta velocità di commutazione