Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  20 V
• Corrente al collettore (Ic max):
  35 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  700 mW
• Montaggio:
  superficiale
• Contenitore:
  HPAC-100
• Tipo contenitore :
  ceramico

Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100