GaAs-FET di media potenza

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  15 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -5 V
• Corrente di drain (I_d):
  60 mA
• Guadagno:
  7.5 dB
• Potenza di uscita:
  20.5 dBm
• Potenza dissipata:
  1.15 W
• Frequenza max.:
  16 GHz
• Internally matched:
  No
• Contenitore:
  metal-ceramic hermetic
• Montaggio:
  flangia

GaAs-FET di media potenza

GaAs-FET di media potenza, I_DSS 60mA con V_DS 5V, P1dB tipica 20.5dBm a 14.5 GHz, contenitore ceramico ermetico con flangia

- 150mW 9dBG @ 10 GHz
- 120mW 7.5dBG @ 14.5 GHz