HJFET di potenza

• Tipologia:
  HJFET
• Tensione drain-source (V_ds):
  8 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -3 V
• Corrente di drain (I_d):
  710 mA
• Guadagno:
  10.5 dB
• Potenza di uscita:
  32.5 dBm
• Potenza dissipata:
  5.7 W
• Frequenza max.:
  26 GHz
• Internally matched:
  No
• Contenitore:
  100 mil
• Montaggio:
  flangia

HJFET di potenza

HJFET di potenza per applicazioni anche oltre 18 GHz, I_DSS 720mA con V_DS 3V, potenza di uscita tipica +32.5dBm, contenitore metallico 100 mil con flangia, caratterizzato fino a 26 GHz

- 10.5 dBG 11.5 dBLIN +32.5 dBm @12 GHz
- 7.5 dBG 8.5 dBLIN +32.5 dBm @ 18 GHz