Induttanza SMD 17.5 nH 6.5 x 3.2 mm, ultra-high Q, SRF > 2.5 GHz tipico 4 GHz, Q > 90 a 100-600MHz, 0.005Ω, 4A, ottima per BIAS-T da 800 MHz a 3.5 GHz per stadi ad alta potenza
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| Conformità | |
|---|---|
| Paese di origine | US |
| Codice doganale UE | 85045000 |
| Peso | 1.00 g |
| RoHS | No |
| REACH | Non disponibile |
Induttanza SMD 17.5 nH 6.5 x 3.2 mm, ultra-high Q, SRF > 2.5 GHz tipico 4 GHz, Q > 90 a 100-600MHz, 0.005Ω, 4A, ottima per BIAS-T da 800 MHz a 3.5 GHz per stadi ad alta potenza
Induttanza SMD 17.5 nH 6.5 x 3.2 mm, ultra-high Q ottima per BIAS-T da 800 MHz a 3.5 GHz per stadi ad alta potenza
- Q: >100 a 300MHz, > 90 a 100-600MHz
- SRF: >2.5 GHz tipico 4 GHz
- Resistenza: 0.005Ω
- Corrente: 4A, max 6A
Il grafico mostra il comportamento dell'induttanza inserita in parallelo ad una linea strip 50Ω e mostra chiaramente che la SRF di 4.5 GHz è ben superiore a quanto dichiarato dal costruttore.
Inoltre evidenzia la curva di perdita di inserzione e di disaccoppiamento del segnale perciò la banda di frequenza indicata da 0.8 a 3.5 GHz è pienmente supportata.
SCHEMA DI REALIZZAZIONE DI UN BIAS TEE NELLA BANDA 0.8 - 4 GHz
Il bias tee è un circuito idoneo a portare alimentazione ad un dispositivo, ad esempio un preamplificatore RF, in posizione distante dalla fonte di alimentazione, le caratteristiche più importanti di un bias tee sono la perdita che deve essere la più bassa possibile e la larghezza di banda adeguata alla propria applicazione. Con questa induttanza è possibile realizzare un ottimo bias tee nella banda 0.8 - 4 GHz, a supporto di quanto detto abbiamo realizzato un esempio per facilitarne la costruzione.
CARETTISTICHE TIPICHE
- Corrente: 4A, max 6A
- Banda di frequenza: 0.8 - 4 GHz
- Perdita di inserzione: 0.2dB (connessioni RF)
- Retun loss: >20dB
- Isolamento: >20dB (connessione dc e connessioni RF)
- Tensione massima: in funzione dei condensatori utilizzati
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