Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

• Polarità:
  NPN
• Tensione collettore-emettitore (Vce max):
  20 V
• Frequenza di transizione (f_T):
  500 MHz
• Corrente al collettore (Ic max):
  400 mA
• Potenza dissipata (Ptot):
  1 W
• Montaggio:
  foro passante
• Contenitore:
  TO-39
• Tipo contenitore:
  metallico

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

Amplificatore HF e VHF di piccola potenza oppure ad alta dinamica in classe A o come oscillatore di potenza, 1.3W 15dBG in HF e 60 MHz, 1W 12 dBG in VHF