E-pHEMT ad alta linearità

• Tipologia:
  E-pHEMT
• Tensione drain-source (V_ds):
  7 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -5 V
• Corrente di drain (I_d):
  500 mA
• Guadagno associato (G_a):
  16 dB
• Potenza dissipata:
  1.5 W
• Frequenza max.:
  3 GHz
• Contenitore:
  SOT-89
• Montaggio:
  SMD

E-pHEMT ad alta linearità

E-PHEMT (non necessita di bias negativo) di ultima generazione, è adatto come stadio amplificatore RX a rumore contenuto o secondo stadio ad altissima dinamica e basso rumore, anche come stadio driver di media potenza infatti la P1dB resta costante a circa 0.5 W fino a 4 GHz con 200 mA di I_ds e 4.5V_ds, contenitore plastico SOT-89

Per applicazioni a basso rumore:
- 1 dBNF 19 dBG @ 500 MHz
- 1.4 dBNF 15 dBG @ 3 GHz
- alta IP3 +42 dBm

Per applicazioni di potenza:
- 0.5W 15 dBG @ 1 GHz
- 0.5W 14 dBG @ 2 GHz

(Nota: può sostituire il modello ATF-53189, ATF-52189 ha una gamma dinamica maggiore)