E-pHEMT a basso rumore

• Tipologia:
  E-pHEMT
• Tensione drain-source (V_ds):
  5 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -5 V
• Corrente di drain (I_d):
  120 mA
• Guadagno associato (G_a):
  16.6 dB
• Potenza dissipata:
  360 mW
• Frequenza max.:
  6 GHz
• Contenitore:
  SOT-343
• Montaggio:
  SMD

E-pHEMT a basso rumore

E-pHEMT (non necessita di bias negativo) di ultima generazione, progettato per alta dinamica e rumore bassissimo ad alta corrente con I_DS max. 120 mA come front-end di ricevitori in VHF - UHF fino 6 GHz, alta IP3 +36 dBm con Ids 60mA, contenitore plastico SOT-343

- 0.22 dBNF 25 dBG @ 150 MHz
- 0.22 dBNF 24 dBG @ 500 MHz
- 0.25 dBNF 22 dBG @ 1 GHz
- 0.6 dBNF 15 dBG @ 3 GHz

E' disponibile anche il modello ATF-55143 con stesse caratteristiche di figura di rumore e guadagno ma con I_ds inferiore