GaAs-FET di media potenza

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  14 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -7 V
• Corrente di drain (I_d):
  600 mA
• Guadagno:
  10 dB
• Potenza di uscita:
  29 dBm
• Potenza dissipata:
  3.6 W
• Frequenza min.:
  2 GHz
• Frequenza max.:
  8 GHz
• Internally matched:
  No
• Contenitore:
  100 mil
• Montaggio:
  flangia

GaAs-FET di media potenza

GaAs-FET di media potenza 2 - 8 GHz, I_DSS 600mA, contenitore ceramico 100 mil ermetico HI-REL con flangia

Con V_DS 9V e I_DSS 250mA:
- 12 dBG +29 dBm @ 4 GHz
- 10 dBG +28 dBm @ 6 GHz