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GaAs-FET di media potenza 2 - 8 GHz, IDSS 600mA, contenitore ceramico 100 mil ermetico HI-REL con flangia
Con VDS 9V e IDSS 250mA:- 12 dBG +29 dBm @ 4 GHz- 10 dBG +28 dBm @ 6 GHz
Equvalente modello Avantek AT-8150