ATF-13736
Agilent Technologies ATF-13736

GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

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  • GaAs-FET
  • 5 V
  • -4 V
  • 50 mA
  • 9 dB
  • 225 mW
  • 16 GHz
  • micro-X
  • SMD

GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

GaAs FET ad alta dinamica fino 16 GHz, IDSS 40-90mA con 18 dBm di potenza d'uscita, contenitore ceramico micro-X, ottimo come secondo stadio amplificatore RX, come mixer anche in banda X, oscillatore a microonde e amplificatore di piccola potenza, FT 60GHz

- 1 dBNF 19 dBG @ 2 GHz
- 1.1 dBNF 17 dBG @ 4 GHz
- 1.7 dBNF 10 dBG @ 12 GHz

ATF-13736
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Datasheet 49.5 kB
Datasheet 79.5 kB
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